Hynix přechází na 0.10 mikronovou technologii

Přední výrobce pamětí pro počítače a servery, společnost Hynix Semiconductor Inc., vyvinula první funkční vzorky paměťových čipů 512 Mb DDR SDRAM vyrobené 0.10 mikronovou technologií. Nové čipy jsou kompatibilní s DDR266, DDR333 a DDR400. Hromadná výroba 512 Mb je naplánována ještě na tento rok, 256 Mb a 1 Gb se pak objeví začátkem roku 2003.

Připomeňme jen, že nejvýkonnější procesory pro PC jsou v současné době vyráběné 0.13 mikronovou technologií.

Zdroj: ebn