Tranzistor nazývaný vědci "depleted substrate transistor" (vyčerpaný substrátový... - pomožte, kdo ví lépe) je variantou výrobního postupu známého jako křemík na izolátoru (silicon-on-insulator), který již v současných podmínkách umožňuje vázat tenkou vrstvu křemíku na tenkou vrstvu izolátoru, s cílem minimalizovat náročnost - tedy energii - nutnou k přepnutí tranzistoru ze stavu zapnuto do vypnuto a naopak. Druhým cílem je současně zaručit, že zařízení nebude ztrácet napětí, tj. požadovat vyšší napětí a více proudu - který zase produkuje vyšší rušení ovlivňující pochody v navzájem blízko integrovaných tranzistorech.
Takže sepnout s menší potřebou energie a beze ztrát: Intelovský postup vylepšuje současnou metodu použitím ještě tenčího izolátoru a ještě více "vyčerpaného" - tj. na elektrony citlivějšího - křemíku. A to vede ke kýženému cíli: tranzistoru, který spíná rychleji s menším ztrátovým napětím. Dle údajů Intelu se 100násobně menšími ztrátami nežli je tomu v současnosti.
A když se tento postup převede z mikrosvěta jednoho miniaturního tranzistoru do reálu kompletního čipu s několika desítkami miliónu tranzistorů, výsledkem může být ohromující nárůst výkonu (taktu procesoru) bez následného nárůstu spotřeby a především následně vyzářené ztrátové energie - tepla, které se stává stále palčivějším problémem současných procesorů.
Podle Geralda Marcyka, vedoucího výzkumu komponent Intelu, tyto nové technologie by mohly přinést zdesateronásobení taktu s nulovým nárůstem spotřebované energie. Což trochu ubírá na záři navrhovanému termínu "Terahertz", který zřejmě extrapoluje nárůst výkonu jednotlivého tranzistoru na celý čip, bez zohlednění něčeho takového jako je vydávané teplo či spotřeba energie. Prozatím bych spíše věřil vedoucímu vývoje nežli "Terahertz" označení...