Společnost SiS, která je známa především svými čipovými sadami se rozhodla, že poněkud více zamíchá kartami na trhu 3D grafických akcelerátorů. Dopomoci k úspěchu jí mají opravdu ostré nástroje, jenž nesou označení Xabre a jejichž cena ve spojení s vlastnostmi, má zamotat hlavu jak nVidii tak Ati. Po nepříliš úspěšném SiS 315 firma připravila na příští měsíc - což je oficiální datum uvedení prvních vzorků na trh - hned tři řady grafických čipů vyráběných 0,15 mikronovou technologií.
Nejvýkonnější SiS336 pracuje na 300 MHz a s pamětmi DDR SDRAM o rychlosti 275 MHz a propustností 9.6 GB/s. Pomalejší SiS334 využívá jádro o rychlosti 250 MHz, v tomto taktu běží i paměti. SiS 332 je nejpomalejším produktem z těchto novinek a běhá na frekvenci 250 MHz s pamětmi na 200 MHz.
Všechny tři procesory podporují AGP 8x a DirectX 8.1. Díky tomu je například SiS 332 v 3D Marku rychlejší než GeForce MX440 (dle firemních materiálů). Příznivce DVD zajisté potěší hardwarový dekodér tohoto formátu. Grafické karty s jednotlivými čipy by měly být prodávány ve verzích s 64 a 128 MB paměti.
Budoucí plány hovoří o SiS 340 s 0,13 mikronovou technologií výroby a podporou DirectX 9.0 a s uvedením na trh v únoru 2003.
HP se asi spojí s Compaqem
To slůvko „asi“ v nadpisu je na místě. Přestože již proběhla hlasování akcionářů společností Hewlett-Packard (HP) a Compaq, není ještě znám oficiální výsledek. Zatímco akcionáři Compaqu valnou většinou hlasovali pro spojení, u HP byl poměr sil natolik těsný, že bude potřeba počkat několik týdnů, než volební komisaři potvrdí neoficiální prohlášení vedení firmy o vítězství zastánců spojení. Podrobnější údaje naleznete zde.
Baterie dobité za čtvrt hodiny
Společnost Rayovac, která je světoznámým výrobcem baterií a akumulátorů, oznámila, že vyvinula technologii, která umožňuje dobití NiMH za přibližně čtvrt hodiny. Technologie označena I-C3, která má být přímo součástí akumulátorů, sleduje proces nabíjení a snímá tlak a vyvolanou chemickou reakci. Další vlastností NiMH akumulátorů s touto technologií, které se mají objevit na začátku příštího roku, je nižší vnitřní odpor. To umožňuje akumulátoru vydat větší energii v jednom pulsu.
DDR SDRAM 400 MHz
Ještě se nestačil pořádně prosadit standard DDR 333 a výrobci pamětí jako Samsung a Micron již začínají produkovat první vzorky pamětí DDR SDRAM 400 MHz, která je prý o cca 20% výkonnější než její předchůdce a o 50 % výkonnější než dnes rozšířené DDR 266. Problém ale může nastat se specifikací, neboť se očekávalo, že DDR paměti s vyšší frekvencí než 333 MHz již budou produkovány na základě specifikace další generace DDR II, která je očekávána až v dalším roce.
