HW Týden: Hewlett-Packard se asi oženil s Compaqem

Nový grafický čip od SiS možná nažene strach nVidii a ATi. HP se s největší pravděpodobností spojí z Compaqem. Nové bateriové akumulátory s časem dobíjení čtvrt hodiny. DDR 400 na světě, ale možná nastanou poporodní komplikace.
SIS Xsabre

Společnost SiS, která je známa především svými čipovými sadami se rozhodla, že poněkud více zamíchá kartami na trhu 3D grafických akcelerátorů. Dopomoci k úspěchu jí mají opravdu ostré nástroje, jenž nesou označení Xabre a jejichž cena ve spojení s vlastnostmi, má zamotat hlavu jak nVidii tak Ati. Po nepříliš úspěšném SiS 315 firma připravila na příští měsíc - což je oficiální datum uvedení prvních vzorků na trh - hned tři řady grafických čipů vyráběných 0,15 mikronovou technologií.

Nejvýkonnější SiS336 pracuje na 300 MHz a s pamětmi DDR SDRAM o rychlosti 275 MHz a propustností 9.6 GB/s. Pomalejší SiS334 využívá jádro o rychlosti 250 MHz, v tomto taktu běží i paměti. SiS 332 je nejpomalejším produktem z těchto novinek a běhá na frekvenci 250 MHz s pamětmi na 200 MHz.

Všechny tři procesory podporují AGP 8x a DirectX 8.1. Díky tomu je například SiS 332 v 3D Marku rychlejší než GeForce MX440 (dle firemních materiálů). Příznivce DVD zajisté potěší hardwarový dekodér tohoto formátu. Grafické karty s jednotlivými čipy by měly být prodávány ve verzích s 64 a 128 MB paměti.

Budoucí plány hovoří o SiS 340 s 0,13 mikronovou technologií výroby a podporou DirectX 9.0 a s uvedením na trh v únoru 2003.

HP se asi spojí s Compaqem

To slůvko „asi“ v nadpisu je na místě. Přestože již proběhla hlasování akcionářů společností Hewlett-Packard (HP) a Compaq, není ještě znám oficiální výsledek. Zatímco akcionáři Compaqu valnou většinou hlasovali pro spojení, u HP byl poměr sil natolik těsný, že bude potřeba počkat několik týdnů, než volební komisaři potvrdí neoficiální prohlášení vedení firmy o vítězství zastánců spojení. Podrobnější údaje naleznete zde.

Baterie dobité za čtvrt hodiny

Společnost Rayovac, která je světoznámým výrobcem baterií a akumulátorů, oznámila, že vyvinula technologii, která umožňuje dobití NiMH za přibližně čtvrt hodiny. Technologie označena I-C3, která má být přímo součástí akumulátorů, sleduje proces nabíjení a snímá tlak a vyvolanou chemickou reakci. Další vlastností NiMH akumulátorů s touto technologií, které se mají objevit na začátku příštího roku, je nižší vnitřní odpor. To umožňuje akumulátoru vydat větší energii v jednom pulsu.

DDR SDRAM 400 MHz

Ještě se nestačil pořádně prosadit standard DDR 333 a výrobci pamětí jako Samsung a Micron již začínají produkovat první vzorky pamětí DDR SDRAM 400 MHz, která je prý o cca 20% výkonnější než její předchůdce a o 50 % výkonnější než dnes rozšířené DDR 266. Problém ale může nastat se specifikací, neboť se očekávalo, že DDR paměti s vyšší frekvencí než 333 MHz již budou produkovány na základě specifikace další generace DDR II, která je očekávána až v dalším roce.