Budoucnost není růžová Tak jako každá technologie i paměti typu flash se pomalu, ale jistě blíží svým fyzikálním hranicím, jejichž překročení se zatím zdá nemyslitelné. Nyní využívané flash paměti zachycují elektrony ve vrstvě kysličníku křemičitého, která má tloušťku 9 nanometrů. Tento systém má udržet informaci více než 10 let. Pokud by se vrstva dále zmenšovala, hrozilo by, že již neudrží elektrony a bude docházet ke ztrátě dat. I proto se výrobci ohlížejí po nových technologiích, které by jednoho dne mohly nahradit současný systém flash pamětí. Již kolem roku 2005 se očekává, že bude neefektivní pokoušet se dále zmenšovat flash paměti a jejich obvody. Bude to dáno i očekávanou poměrně nízkou cenou budoucích „fleší“, která výrazně sníží zisky. A to i přes skutečnost, že meziroční nárůst trhu s flash paměťmi je kolem 50 %.
Kdo si brousí zuby V současné době existuje několik adeptů, kteří chtějí v budoucnu nahradit paměti typu flash. Ve dvou z nich má prsty společnost AMD. Jedna z těchto technologií je nazývána „MirrorBit (MB)“. Zatímco klasická flash paměť v jedné paměťové buňce uloží jeden bit informace (lepší až 2 bity), MB udrží v jedné buňce čtyři tyto základní jednotky informace. Kritici této technologie ale tvrdí, že může být problém s indikací elektrického náboje, neboť v 4bitových paměťových buňkách bude těžké rozlišit mezi 16 kombinacemi 0 a 1. AMD a Intel (každý zvlášť) také experimentují s technologií „PFRAM (Polymer Ferroelectric RAM)“. Zkráceně jsou produkty na bázi tohoto procesu označovány jako „Plastic“. V tomto případě jsou informace ukládány trojdimenzionálně a ne jen plošně, což šetří místo. Dá se tak zvýšit hustota záznamu, aniž by se paralelně zvýšily i náklady. Další oblastí, kde se Intel angažuje, je systém „Ovonic Unified Memory“. V tomto případě jsou data ukládána podobně jako na optický disk. Přesně zamířený paprsek totiž pomocí své tepelné energie zapíše do určeného místa informaci. Problémem zatím zůstává potřebná teplota, která musí dosahovat několika set stupňů Celsia. Možná největší šanci na prosazení mají dvě následující technologie. První z nich se nazývá FeRAM. Ta je vyvíjena společností Texas Instruments a mezi její přednosti patří nízká energetická náročnost.
MRAM zase využívá kontroly spinu zachyceného elektronu. O tuto technologii jsme se zajímali již v tomto článku.
Jedou z posledních slibných technologií se jeví „nano-krystalový“ systém vyvíjený společností Motorola. Místo kysličníku křemičitého je v tomto případě k zachycení elektronu využíváno samotných krystalů křemíku. V případě masové produkce jsou slibovány až poloviční rozměry.
Kdo vyhraje?
Všechny výše uvedené systémy jsou bohužel zatím jen ve fázi prototypů nebo experimentální výroby. Na prosazení některé z technologií a její masovou produkci si tak budeme muset ještě chvíli počkat. Firmy ale cítí velikou příležitost vést na trhu, který nabídne opravdu zajímavé možnosti zisku, a tak se možná nových produktů dočkáme dříve než jsme počítali. Zatím nám budou stačit současné flash paměti.
