Společnost
Samsung posunula maximální kapacitní hranici pamětí zase o hodný kus dále. Včera představila paměťový modul o celkové kapacitě 4 GB DDR s rychlostí 266/333 MHz. Osazené čipy na modulu jsou navíc vyrobeny 0.10 mikronovou technologií. Masívní dodávku plánuje společnost na druhé pololetí roku 2003, cena zatím není známa.
Zdroj: Samsung
Souvesející odkazy:
Infineon: 2 GB paměti DDR SDRAM na jednom modulu