S novými technologiemi záznamu dat a práce s nimi se otvírají další a další dveře k dříve nepoznaným možnostem. Stále ale existuje rozdíl mezi rychlými pamětmi, které s daty pracují (DRAM), a pomalejší pamětí, kde se data spíše ukládají (Flash, pevný disk). Pracuje se ale již na několika řešeních, která tyto bariéry patrně překonají.
MRAM
Skvělou budoucnost předpovídají někteří výzkumníci pamětem MRAM. Pod touto zkratkou se skrývá název "magnetoresistive random acces memory". Mezi její přednosti má patřit rychlost, malá energetická náročnost a především udržení záznamu i bez proudu, tak jako je tomu u flash pamětí.
Testovací modely pamětí MRAM jsou až třicetkrát rychlejší než standardní konvenční DRAM paměti.
Jejich největší nevýhodu je v podstatě jen cena. Pokud bude novinka na poli pamětí kladně přijata a pokud se rozběhne její sériová výroba, dá se předpokládat, že se postupně její cena upraví a MRAM bude mnohem konkurenceschopnější.
MRAM technologie
Paměti MRAM jsou složeny z tenkého magnetického filmu, kterým je potažen křemíkový substrát. Magnetická vrstva je uzavřena mezi dvěma mřížkami, které jsou vytvořeny z velice tenkých drátků. Průchodem proudu pak mohou být, díky různé nebo stejné polaritě obou mřížek, data zapsána či vymazána.
To samozřejmě znamená, že se elektrická energie používá pouze k zápisu a mazání dat. V magnetické vrstvě jsou pak jednotlivé bity informace uložené, aniž by potřebovaly být pomocí elektrické energie neustále obnovovány, jak je tomu u DRAM pamětí.
Technologie MRAM ji umožňuje spojit s klasickým čipem, a tak se předpokládá, že tato paměť bude v budoucích počítačích integrována přímo na procesoru a díky svým vlastnostem bude moci nahradit pevný disk. To by samozřejmě připravilo půdu pro další zmenšování počítačů.
Využití
Zatím se počítá s využitím těchto pamětí u přenosných zařízení, jako jsou mobilní telefony nebo PDA. Proto se ve vývoji MRAM angažuje například společnost Motorola. Té se na novince líbí, že má nízkou spotřebu energie a může přinést výrazné zvýšení kapacity malých zařízení. V podstatě by tak byly nahrazeny současné flash paměti.
Podle toho, v jaké fázi se nachází současný vývoj těchto pamětí, lze usuzovat, že se první komerční vzorky MRAM pamětí objeví na trhu již v průběhu roku 2003. Například Motorola již příští rok plánuje představit 4Mbit čipy. A o rok později se prý v nabídce společnosti Hewlett-Packard objeví čip s kapacitou 256 Mbit. Další vývojová pracoviště, která na MRAM pracují a od nichž se můžeme prvních čipů také dočkat poměrně brzo, jsou Intel a IBM.
